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导电型碳化硅衬底
同光先进不断追求更高的晶体质量和加工质量，更好的满足客户的需求，目前可批量供应4英寸和6英寸导电型产品。
- 产品描述
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参数 Parameter 单位 Unit 具体规格 Specification Value 备注 Remark 等级 Grade Production+ Grade Research Grade Dummy Grade 直径 Diameter mm 150+0/-0.2 150+0/-0.5 厚度 Thickness μm 500±15 500±25 晶型 Polytype 4H-SiC 表面取向
Surface Orientation<0001>±0.2° <0001>±0.5° 总厚度偏差
TTVμm ≤7 ≤8 ≤15 弯曲度 BOW μm 0±15 0±20 0±30 翘曲度 Warp μm ≤25 ≤30 ≤45 表面粗糙度
Surface Roughnessnm C-face:mirror polished,Ra<3.0 AFM@5μm*5μm Si-face: CMP,Ra<0.2
应用领域
高铁动车
新能源汽车
智能电网
风力发电
光伏逆变器
充电桩
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联系方式
销售邮箱：sales@synlight.cn
销售电话：0312-3915000
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电话：0312-3915666
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